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关注硅材料标准话语权与新一代电池组件技术

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-09-22  浏览次数:444
核心提示: 2013年8月12日,SEMI中国光伏标准技术委员会2013年度秋季会议在呼和浩特喜来登酒店召开。据SEMI报道,该会议讨论并表决通过了分
       2013年8月12日,SEMI中国光伏标准技术委员会2013年度秋季会议在呼和浩特喜来登酒店召开。

据SEMI报道,该会议讨论并表决通过了分别由国家太阳能检测中心和洛阳中硅发起的《电感炉燃烧后红外吸收法测硅粉中碳含量》和《电感耦合等离子光发射谱法测硅粉中B、P、Fe、Al、Ca含量》两项检测标准提案提交全球投票。

在当前国际多晶硅产业进入深度整合阶段,中国国内多晶硅企业寻求技术突破、成本和质量控制的大背景下,这两项硅粉检测标准提案进入全球投票阶段,会极大促进国内多晶硅企业质量和成本控制进步,也顺应了7月份刚刚出台的“国八条”中“推进标准化体系和检测认证体系建设”的要求。

本次会议,共有来自SEMI中国、SEMI欧洲阿特斯阳光电力、中国太阳能检测中心、天合光能、尚德电力、晶澳太阳能、江苏中能等33家单位的58位代表参加,由黎志欣博士主持。

本次会议上,SEMI中国的资深标准专员沈红对SEMI全球近期的活动事项进行了通报,并介绍截止至7月底SEMI已经发布的有效标准 887项,光伏标准49项,正在制定的标准草案41项。SEMI中国光伏项目总监谯锴对SEMI光伏标准在北美、欧洲、日本和台湾等国家和地区的最新动态进行了通报。

SEMI北美、欧洲和日本地区都在积极准备硅片检测方面的技术标准提案。这一方面表明了硅片质量控制对于光伏电池、组件产品质量和发电性能的重要性,也从侧面说明了各地区的产业界都在积极争夺在核心材料技术上的话语权。

与会委员一致认为,中国在硅片和组件产能上占据全球70%以上的份额,SEMI中国光伏标准技术委员会必须加快在这两个领域标准的制定工作,相关工作组要积极参与SEMI全球其它地区的标准制定活动,与世界先进同行扩大交流的深度和广度,促进中国光伏制造标准的快速完善,提升制造效率和竞争优势。

此次会上还成立了SIBCO牵头的晶体硅光伏背接触技术组(Crystalline Silicon PV Back Contact Technology Task Force)并通过了《背接触电池组件术语》的新提案。同时,与会委员也指出,对于以背接触技术为代表的下一代技术,国内目前电池产能还比较低(300MW左右),技术经济性还不能与高效多晶电池组件相比,而且核心技术主要来自国外少数研究机构。

国内产业界在加大对背接触电池的研究和生产的同时,要注意知识产权的保护。这都表明了中国光伏产业界对下一代光伏电池组件技术的极大关注,在该项技术产业化的初期就给予了极大的支持,以期中国光伏制造在下一代技术上与世界同步,甚至在产业化走在前面。

另外,SEMI中国光伏标准委员会下设的光伏用硅片、光伏组件、光伏硅原材料等9个工作组也分别介绍了各自的工作进展,包括成员招募和标准起草等情况。与会委员表决通过了国电光伏提交的《光伏发电设备集成效率测试方法》新标准提案.

会议期间,与会核心委员还通过举手表决的方式,同意晶科能源的金浩博士作为核心技术委员会委员加入SEMI中国光伏标准委员会。

最后,SEMI中国光伏标准技术标准核心委员们确定了下一次的会议将于10月23日在无锡市召开。

 
 
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