在当前科技创新、科技强国的时代，以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体材料的研究和开发已经得到世界各国的高度重视。由于碳化硅半导体衬底材料可制作大功率、高热导率的高频率微波器件、功率器件和照明器件，具有非常显著的性能优势和巨大的产业带动作用，欧美日等发达国家和地区都把发展碳化硅半导体技术列入国家战略，投入巨资支持发展。在我国，以碳化硅半导体材料为代表的新材料研究和开发，已经成为科技强国的重要组成部分。但由于我国在第一代、第二代半导体领域的研究和开发严重落后于欧美日等发达国家和地区，每年都要进口2000亿美元以上的电子器件，一直未能实现突破和赶超。相信这次我们定能抓住机遇加快转变。实现强国梦想。
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